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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.256072
10
¥8.732143
100
¥8.237871
500
¥7.771577
1000
¥7.331677
Infineon Technologies IRG4BC20WPBF
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- 对比
IRG4BC20WPBF
1211-IRG4BC20WPBF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3
大陆
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IGBT 600V 13A 60W TO220AB
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRG4BC20WPBF详情
Infineon Technologies IRG4BC20WPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.6V
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 6.5A, 50 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
110 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2000
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低导通损耗
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
60W
端子位置
SINGLE
额定电流
13A
元素配置
Dual
功率耗散
60W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
接通延迟时间
22 ns
晶体管应用
MOTOR CONTROL
上升时间
15ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
2.6V
最大集电极电流
13A
JEDEC-95代码
TO-220AB
接通时间
36 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.6V @ 15V, 6.5A
关断时间-标准值(toff)
300 ns
闸门收费
26nC
集极脉冲电流(Icm)
52A
Td(开/关)@25°C
22ns/110ns
开关能量
60μJ (on), 80μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6V
最大下降时间 (tf)
96ns
高度
8.77mm
长度
10.54mm
宽度
4.69mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRG4BC20WPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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