ON Semiconductor HGTP7N60C3D

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.6V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 7A, 50 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

350 ns

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

附加功能

低导通损耗

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

60W

额定电流

14A

基本部件号

HGTP7N60

元素配置

Single

功率耗散

60W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

8.5 ns

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

14A

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

20 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 7A

关断时间-标准值（toff)

490 ns

闸门收费

23nC

集极脉冲电流（Icm）

56A

开关能量

165μJ (on), 600μJ (off)

高度

9.02mm

长度

10.28mm

宽度

4.57mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅