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首页 全部分类 IRG4BC30FPBF vs HGTP7N60A4

IRG4BC30FPBF备选型号: HGTP7N60A4

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  • 开关能量
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 基本部件号
  • Infineon Technologies
    IRG4BC30FPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 31A 100W TO220AB
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    600V
    1.59V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    速度快
    600V
    100W
    31A
    Single
    100W
    COLLECTOR
    Standard
    21 ns
    电源控制
    15ns
    N-CHANNEL
    1.8V
    31A
    TO-220AB
    36 ns
    1.8V @ 15V, 17A
    640 ns
    51nC
    124A
    21ns/200ns
    230μJ (on), 1.18mJ (off)
    270ns
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTP7N60A4
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 34A 125W TO220AB
    44 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    600V
    1.9V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    低导通损耗
    600V
    125W
    34A
    Single
    125W
    COLLECTOR
    Standard
    11 ns
    电源控制
    11ns
    N-CHANNEL
    600V
    34A
    TO-220AB
    17 ns
    2.7V @ 15V, 7A
    205 ns
    37nC
    56A
    11ns/100ns
    55μJ (on), 60μJ (off)
    -
    9.02mm
    10.28mm
    4.57mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    1.8g
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    HGTP7N60
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