Infineon Technologies IRG4BC30FPBF
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IRG4BC30FPBF
1211-IRG4BC30FPBF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3
大陆
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IGBT 600V 31A 100W TO220AB
--最小包装量--
IRG4BC30FPBF详情
Infineon Technologies IRG4BC30FPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.59V
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 17A, 23 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
200 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2000
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
通孔
ECCN 代码
EAR99
附加功能
速度快
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
100W
额定电流
31A
元素配置
Single
功率耗散
100W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
接通延迟时间
21 ns
晶体管应用
电源控制
上升时间
15ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.8V
最大集电极电流
31A
JEDEC-95代码
TO-220AB
接通时间
36 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.8V @ 15V, 17A
关断时间-标准值(toff)
640 ns
闸门收费
51nC
集极脉冲电流(Icm)
124A
Td(开/关)@25°C
21ns/200ns
开关能量
230μJ (on), 1.18mJ (off)
最大下降时间 (tf)
270ns
高度
8.77mm
长度
10.54mm
宽度
4.69mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
Contains Lead, Lead Free
IRG4BC30FPBF拓展信息
Infineon Technologies
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