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IRG4BC30KDSTRLP备选型号: SGW23N60UFDTM
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- 基本部件号
- JESD-30代码
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- 功率 - 最大
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- 最大击穿电压
- 接通时间
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- 关断时间-标准值（toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 辐射硬化
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- 最小工作温度
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- 额定电流
- 功率耗散
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IGBT 600V 28A 100W D2PAK13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3260.39037mgSILICON600V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2000e3最后一次购买1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier低导通损耗100W鸥翼26030IRG4BC30KD-SPBFR-PSSO-G2SingleCOLLECTORStandard100WMOTOR CONTROLN-CHANNEL2.7V28A42 ns600V100 ns2.7V @ 15V, 16A370 ns67nC56A60ns/160ns600μJ (on), 580μJ (off)20V6V120ns无ROHS3 Compliant无铅--------
IGBT 600V 23A 100W D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3--600V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)--Obsolete1 (Unlimited)---100W---SG*23N60-Single-Standard100W--600V23A42 ns--2.6V @ 15V, 12A-49nC92A17ns/60ns115μJ (on), 135μJ (off)----符合RoHS标准无铅D2PAK2.1V150°C-55°C600V12A100W600V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SGW23N60UFDTM | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 23A 100W D2PAK | 对比 |
| IRG4BC30FD-SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 31A 100W D2PAK | 对比 |
| IRGS8B60KPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 28A 167W D2PAK | 对比 |
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