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首页 全部分类 IRG4BC40W-STRRP vs IKB20N60TAATMA1

IRG4BC40W-STRRP备选型号: IKB20N60TAATMA1

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 系列
  • 无铅代码
  • 端子位置
  • 参考标准
  • 配置
  • 无卤素
  • 反向恢复时间
  • IGBT类型
  • Infineon Technologies
    IRG4BC40W-STRRP
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 40A 160W D2PAK
    13 Weeks
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    3
    260.39037mg
    SILICON
    480V, 20A, 10 Ω, 15V
    2004
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    2
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    低导通损耗
    160W
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    160W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.5V
    40A
    48 ns
    2.5V @ 15V, 20A
    294 ns
    98nC
    160A
    27ns/100ns
    110μJ (on), 230μJ (off)
    20V
    6V
    110ns
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IKB20N60TAATMA1
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 40A 166W TO263-3
    16 Weeks
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    -
    -
    SILICON
    600V
    2017
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~150°C TJ
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    156W
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    -
    COLLECTOR
    Standard
    156W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    40A
    35 ns
    2.05V @ 15V, 20A
    287 ns
    120nC
    60A
    18ns/199ns
    310μJ (on), 460μJ (off)
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    含铅
    TrenchStop™
    yes
    SINGLE
    AEC-Q101
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    41 ns
    沟渠现场停车
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