Infineon Technologies IKB20N60TAATMA1

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 20A, 12 Ω, 15V

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchStop™

已出版

2017

无铅代码

yes

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

最大功率耗散

156W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

156W

晶体管应用

电源控制

无卤素

无卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

40A

反向恢复时间

41 ns

接通时间

35 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.05V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

287 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

120nC

集极脉冲电流（Icm）

60A

Td（开/关）@25°C

18ns/199ns

开关能量

310μJ (on), 460μJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅