我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IRG4BH20K-LPBF备选型号: IRGSL6B60KDPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 反向恢复时间
- IGBT类型
IGBT 1200V 11A 60W TO26213 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA32.084002gSILICON1.2kV3.17V-55°C~150°C TJTube1997e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS1.2kV60WSINGLE26011A30Dual60WCOLLECTORStandard23 ns电源控制26nsN-CHANNEL4.3V11A1200V51 ns4.3V @ 15V, 5A720 ns28nC22A23ns/93ns450μJ (on), 440μJ (off)20V6V400ns9.65mm10.668mm4.826mm无SVHC无符合RoHS标准Contains Lead, Lead Free--- IGBT 600V 13A 90W TO26216 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-SILICON600V2V-55°C~150°C TJTube2012e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-600V90W-26013A30Single90WCOLLECTORStandard-MOTOR CONTROL17nsN-CHANNEL2.2V13A-45 ns2.2V @ 15V, 5A258 ns18.2nC26A25ns/215ns110μJ (on), 135μJ (off)20V5.5V27ns9.652mm10.668mm4.826mm无SVHC无符合RoHS标准无铅70 nsNPT
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGI3236-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans IGBT Chip N-CH 330V 44A 3-Pin(3 Tab) TO-262 Tube | 对比 |
| IRGSL6B60KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | IGBT 600V 13A 90W TO262 | 对比 |
| IRGSL4B60KD1PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | IGBT 600V 11A 63W TO262 | 对比 |
哦! 它是空的。