Infineon Technologies IRG4BH20K-LPBF

工厂交货时间

13 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

质量

2.084002g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.17V

Number of Elements

1

Test Conditions

960V, 5A, 50 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

93 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

60W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

11A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Dual

功率耗散

60W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

23 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

26ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

4.3V

最大集电极电流

11A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

51 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

4.3V @ 15V, 5A

关断时间-标准值（toff)

720 ns

闸门收费

28nC

集极脉冲电流（Icm）

22A

Td（开/关）@25°C

23ns/93ns

开关能量

450μJ (on), 440μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

400ns

高度

9.65mm

长度

10.668mm

宽度

4.826mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

Contains Lead, Lead Free