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IRG4BH20K-SPBF备选型号: STGB10NC60KT4
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- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 无铅代码
- 基本部件号
- 引脚数量
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
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- 连续放电电流(ID)
- 最大击穿电压
IGBT 1200V 11A 60W D2PAK9 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON1.2kV3.17V-55°C~150°C TJTube2000e3最后一次购买1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier低导通损耗1.2kV60W鸥翼26011A30R-PSSO-G2Single60WCOLLECTORStandardMOTOR CONTROL26nsN-CHANNEL4.3V11A1200V51 ns4.3V @ 15V, 5A720 ns28nC22A23ns/93ns450μJ (on), 440μJ (off)20V6.5V400ns4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free---------
IGBT 600V 20A 65W D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON600V--55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99哑光锡超快600V65W鸥翼24510A30R-PSSO-G2Single60W-Standard电源控制6nsN-CHANNEL600V20A-23 ns2.5V @ 15V, 5A242 ns19nC30A17ns/72ns55μJ (on), 85μJ (off)20V6.5V-----无ROHS3 Compliant无铅PowerMESH™yesSTGB10317 ns65W600V10A600V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT Transistors IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast | 对比 |
| STGB10NC60KDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 20A 65W D2PAK | 对比 |
| STGB10NC60KT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 20A 65W D2PAK | 对比 |
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