STMicroelectronics STGB3NC120HDT4

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

2.000002g

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

D2Pak

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.3V

Number of Elements

1

Test Conditions

800V, 3A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

118 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

75W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STGB3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

75W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

15 ns

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

14A

反向恢复时间

51 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

最大击穿电压

1.2kV

接通时间

18.5 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.8V @ 15V, 3A

最大结点温度（Tj）

150°C

连续集电极电流

14A

关断时间-标准值（toff)

680 ns

闸门收费

24nC

集极脉冲电流（Icm）

20A

Td（开/关）@25°C

15ns/118ns

开关能量

236μJ (on), 290μJ (off)

高度

4.83mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅