IRG4PC50F-EPBF备选型号: STGW40NC60KD

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
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  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 反向恢复时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IGBT 600V 70A 200W TO247AD
    11 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    1.45V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    200W
    Single
    200W
    COLLECTOR
    Standard
    31 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.6V
    70A
    TO-247AD
    20V
    52 ns
    1.6V @ 15V, 39A
    620 ns
    190nC
    280A
    31ns/240ns
    370μJ (on), 2.1mJ (off)
    6V
    190ns
    20.701mm
    15.875mm
    5.3086mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    600V
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    250W
    Single
    250W
    -
    Standard
    46 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    70A
    -
    -
    64 ns
    2.7V @ 15V, 30A
    338 ns
    135nC
    220A
    46ns/164ns
    595μJ (on), 716μJ (off)
    6.5V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    PowerMESH™
    e3
    Tin (Sn)
    STGW40
    3
    R-PSFM-T3
    45 ns
    20V
    无铅
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