Infineon Technologies IRG4PC50KDPBF
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IRG4PC50KDPBF
1211-IRG4PC50KDPBF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT 600V 52A 200W TO247AC
--最小包装量--
IRG4PC50KDPBF详情
Infineon Technologies IRG4PC50KDPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.84V
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 30A, 5 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
150 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tray
已出版
1998
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
通孔
ECCN 代码
EAR99
附加功能
超快软恢复
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
200W
额定电流
52A
元素配置
Single
功率耗散
104W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
接通延迟时间
63 ns
晶体管应用
电源控制
上升时间
49ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
2.2V
最大集电极电流
52A
反向恢复时间
50 ns
JEDEC-95代码
TO-247AC
接通时间
107 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.2V @ 15V, 30A
关断时间-标准值(toff)
480 ns
闸门收费
200nC
集极脉冲电流(Icm)
104A
Td(开/关)@25°C
63ns/150ns
开关能量
1.61mJ (on), 840μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6V
高度
20.3mm
长度
15.875mm
宽度
5.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRG4PC50KDPBF拓展信息
Infineon Technologies
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