STMicroelectronics STGW40NC60KD
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STGW40NC60KD
2381-STGW40NC60KD
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
--最小包装量--
STGW40NC60KD详情
STMicroelectronics STGW40NC60KD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 30A, 10 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
164 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
250W
基本部件号
STGW40
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
元素配置
Single
功率耗散
250W
输入类型
Standard
接通延迟时间
46 ns
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
70A
反向恢复时间
45 ns
接通时间
64 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 30A
关断时间-标准值(toff)
338 ns
闸门收费
135nC
集极脉冲电流(Icm)
220A
Td(开/关)@25°C
46ns/164ns
开关能量
595μJ (on), 716μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGW40NC60KD拓展信息
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