IRG4PC50KDPBF备选型号: STGW30H60DFB

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  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 关断时间-标准值(toff)
  • 闸门收费
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  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 功率 - 最大
  • IGBT类型
  • Infineon Technologies
    IGBT 600V 52A 200W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    1.84V
    -55°C~150°C TJ
    Tray
    1998
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    超快软恢复
    600V
    200W
    52A
    Single
    104W
    COLLECTOR
    Standard
    63 ns
    电源控制
    49ns
    N-CHANNEL
    2.2V
    52A
    50 ns
    TO-247AC
    107 ns
    2.2V @ 15V, 30A
    480 ns
    200nC
    104A
    63ns/150ns
    1.61mJ (on), 840μJ (off)
    20V
    6V
    20.3mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin TO-247 Tube
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    600V
    1.55V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    EAR99
    -
    -
    260W
    -
    Single
    -
    -
    Standard
    -
    -
    -
    -
    600V
    60A
    53 ns
    -
    -
    2V @ 15V, 30A
    -
    149nC
    120A
    37ns/146ns
    383μJ (on), 293μJ (off)
    -
    -
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    38.000013g
    未说明
    未说明
    STGW30
    260W
    沟渠现场停车
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