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首页 全部分类 IRG4PC50KPBF vs IRG4PC50WPBF

IRG4PC50KPBF备选型号: IRG4PC50WPBF

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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 终端
  • 端子位置
  • Infineon Technologies
    IRG4PC50KPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 52A 200W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    1.84V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2000
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    低导通损耗
    600V
    200W
    250
    52A
    30
    Single
    200W
    COLLECTOR
    Standard
    38 ns
    电源控制
    34ns
    N-CHANNEL
    2.2V
    52A
    TO-247AC
    72 ns
    2.2V @ 15V, 30A
    430 ns
    200nC
    104A
    38ns/160ns
    490μJ (on), 680μJ (off)
    20V
    6V
    120ns
    20.3mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4PC50WPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 55A 200W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    2.3V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2000
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    低导通损耗
    600V
    200W
    -
    55A
    -
    Dual
    200W
    COLLECTOR
    Standard
    46 ns
    电源控制
    33ns
    N-CHANNEL
    2.3V
    55A
    TO-247AC
    74 ns
    2.3V @ 15V, 27A
    272 ns
    180nC
    220A
    46ns/120ns
    80μJ (on), 320μJ (off)
    20V
    6V
    86ns
    20.2946mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    38.000013g
    通孔
    SINGLE
  • 添加型号
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