IRG4PH40UDPBF备选型号: FGH25T120SMD-F155
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- IGBT类型
- IGBT 1200V 41A 160W TO247AC14 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON1.2kV2.43V-55°C~150°C TJBulk2004最后一次购买1 (Unlimited)3通孔EAR99超快软恢复1.2kV160W41ASingle160WCOLLECTORStandard46 ns电源控制59nsN-CHANNEL3.1V41A63 nsTO-247AC1200V74 ns3.1V @ 15V, 21A750 ns86nC82A46ns/97ns1.8mJ (on), 1.93mJ (off)20V6V20.7mm15.87mm5.3086mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------
- IGBT Transistors 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT5 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON1.2kV1.9V-55°C~175°C TJTube2014活跃1 (Unlimited)3----428W-Single428WCOLLECTORStandard-电源控制-N-CHANNEL1.2kV50A60nsTO-247AB1200V88 ns2.4V @ 15V, 25A584 ns225nC100A40ns/490ns1.74mJ (on), 560μJ (off)25V7.5V----无ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)6.39ge3yesTIN260沟渠现场停车
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGH25T120SMD-F155 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT | 对比 | |
| FGH15T120SMD-F155 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 30A 333W TO247-3 | 对比 | |
![]() | IRG4PH40KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 30A 160W TO247AC | 对比 |



哦! 它是空的。