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首页 全部分类 IRG4PH50S-EPBF vs IXA33IF1200HB

IRG4PH50S-EPBF备选型号: IXA33IF1200HB

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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 无铅代码
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 反向恢复时间
  • IGBT类型
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • Infineon Technologies
    IRG4PH50S-EPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 57A 200W TO247AD
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    1.7V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    200W
    SINGLE
    Dual
    200W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.7V
    57A
    TO-247AD
    1200V
    62 ns
    1.7V @ 15V, 33A
    2170 ns
    167nC
    114A
    32ns/845ns
    1.8mJ (on), 19.6mJ (off)
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXA33IF1200HB
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXA33IF1200HB IGBT Single Transistor, 58 A, 2.1 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    1.8V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    250W
    -
    Single
    250W
    -
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    58A
    TO-247AD
    1200V
    110 ns
    2.1V @ 15V, 25A
    350 ns
    76nC
    -
    -
    2.5mJ (on), 3mJ (off)
    21.45mm
    16.24mm
    5.3mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    e1
    yes
    锡银铜
    低导通损耗
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    350ns
    PT
    20V
    6.5V
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