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首页 全部分类 IRG4PSC71UPBF vs SGL50N60RUFDTU

IRG4PSC71UPBF备选型号: SGL50N60RUFDTU

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
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  • 无铅代码
  • HTS代码
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  • 连续集电极电流
  • 最大下降时间 (tf)
  • Infineon Technologies
    IRG4PSC71UPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 85A 350W SUPER247
    22 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-274AA
    3
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    1999
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    低导通损耗
    600V
    350W
    85A
    Single
    350W
    COLLECTOR
    Standard
    34 ns
    电源控制
    50ns
    N-CHANNEL
    2V
    85A
    79 ns
    2V @ 15V, 60A
    304 ns
    340nC
    200A
    34ns/56ns
    420μJ (on), 1.99mJ (off)
    20V
    6V
    20.8mm
    16.0782mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    SGL50N60RUFDTU
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 80A 250W TO264
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    3
    SILICON
    600V
    2.2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
    100V
    250W
    40A
    Single
    250W
    -
    Standard
    26 ns
    MOTOR CONTROL
    -
    N-CHANNEL
    600V
    80A
    119 ns
    2.8V @ 15V, 50A
    329 ns
    145nC
    150A
    26ns/66ns
    1.68mJ (on), 1.03mJ (off)
    20V
    8V
    26mm
    20mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
    Tin
    6.756g
    e3
    yes
    8541.29.00.95
    100ns
    80A
    160ns
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