ON Semiconductor SGL50N60RUFDTU
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SGL50N60RUFDTU
1807-SGL50N60RUFDTU
晶体管 - IGBT - 单个
TO-264-3, TO-264AA
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IGBT 600V 80A 250W TO264
--最小包装量--
SGL50N60RUFDTU详情
ON Semiconductor SGL50N60RUFDTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
工厂交货时间
5 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-264-3, TO-264AA
引脚数
3
质量
6.756g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2V
Number of Elements
1
Test Conditions
300V, 50A, 5.9 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
66 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 额定直流
100V
最大功率耗散
250W
额定电流
40A
元素配置
Single
功率耗散
250W
输入类型
Standard
接通延迟时间
26 ns
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
80A
反向恢复时间
100ns
接通时间
119 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.8V @ 15V, 50A
连续集电极电流
80A
关断时间-标准值(toff)
329 ns
闸门收费
145nC
集极脉冲电流(Icm)
150A
Td(开/关)@25°C
26ns/66ns
开关能量
1.68mJ (on), 1.03mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
8V
最大下降时间 (tf)
160ns
高度
26mm
长度
20mm
宽度
5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SGL50N60RUFDTU拓展信息
ON Semiconductor
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