IRG4RC10UTRPBF备选型号: FGD3N60UNDF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 最大击穿电压
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 反向恢复时间
- IGBT类型
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- IGBT 600V 8.5A 38W DPAK13 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633350.003213mgSILICON600V2.6V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2004Obsolete1 (Unlimited)2超快600V38W鸥翼8.5AIRG4RC10UPBFR-PSSO-G2Single38WCOLLECTORStandard电源控制11nsN-CHANNEL2.6V8.5ATO-252AA600V32 ns2.6V @ 15V, 5A330 ns15nC34A19ns/116ns80μJ (on), 160μJ (off)1.2446mm6.7056mm6.223mm无符合RoHS标准含铅----------
- IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT7 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON600V2.4V-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2013活跃1 (Unlimited)2--60W鸥翼-FGD3N60R-PSSO-G2Single60WCOLLECTORStandardMOTOR CONTROL-N-CHANNEL600V6A-600V7.4 ns2.52V @ 15V, 3A146 ns1.6nC9A5.5ns/22ns52μJ (on), 30μJ (off)2.3mm6.6mm6.1mm无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)e3yesEAR99Tin (Sn)8541.29.00.9521nsNPT20V8.5V
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRG4RC10KDTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 9A 38W DPAK | 对比 |
![]() | SGR6N60UFTF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 6A 30W DPAK | 对比 |
![]() | SGR6N60UFTM | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 6A 30W DPAK | 对比 |



哦! 它是空的。