Infineon Technologies IRG4RC10UTRPBF

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

350.003213mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.6V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 5A, 100 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

附加功能

超快

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

38W

终端形式

鸥翼

额定电流

8.5A

基本部件号

IRG4RC10UPBF

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

38W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

上升时间

11ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.6V

最大集电极电流

8.5A

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大击穿电压

600V

接通时间

32 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.6V @ 15V, 5A

关断时间-标准值（toff)

330 ns

闸门收费

15nC

集极脉冲电流（Icm）

34A

Td（开/关）@25°C

19ns/116ns

开关能量

80μJ (on), 160μJ (off)

高度

1.2446mm

长度

6.7056mm

宽度

6.223mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅