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首页 全部分类 IRG7PH35UPBF vs IRG8P25N120KD-EPBF

IRG7PH35UPBF备选型号: IRG8P25N120KD-EPBF

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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
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  • 开关能量
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Reach合规守则
  • 反向恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRG7PH35UPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 55A 210W TO247AC
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    1.2kV
    2.2V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2010
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    镍外哑光锡
    210W
    250
    30
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    30 ns
    210W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.2V
    55A
    TO-247AC
    1200V
    45 ns
    2.2V @ 15V, 20A
    400 ns
    Trench
    85nC
    60A
    30ns/160ns
    1.06mJ (on), 620μJ (off)
    6V
    105ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG8P25N120KD-EPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 40A 180W TO-247AD
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    6.500007g
    -
    1.2kV
    1.7V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2014
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    180W
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    -
    -
    -
    2V
    25A
    -
    1200V
    -
    2V @ 15V, 15A
    -
    -
    135nC
    45A
    20ns/170ns
    800μJ (on), 900μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    unknown
    70 ns
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