Infineon Technologies IRG8P25N120KD-EPBF
- 收藏
- 对比
IRG8P25N120KD-EPBF
1211-IRG8P25N120KD-EPBF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
立即发货

IGBT 1200V 40A 180W TO-247AD
1最小包装量--
IRG8P25N120KD-EPBF详情
Infineon Technologies IRG8P25N120KD-EPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
质量
6.500007g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7V
Current-Collector (Ic) (Max)
40A
Test Conditions
600V, 15A, 10 Ω, 15V
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2014
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
180W
Reach合规守则
unknown
元素配置
Single
输入类型
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
2V
最大集电极电流
25A
反向恢复时间
70 ns
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 15A
闸门收费
135nC
集极脉冲电流(Icm)
45A
Td(开/关)@25°C
20ns/170ns
开关能量
800μJ (on), 900μJ (off)
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRG8P25N120KD-EPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。