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首页 全部分类 IRG7PH42UD1-EP vs IRG8P50N120KD-EPBF

IRG7PH42UD1-EP备选型号: IRG8P50N120KD-EPBF

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  • 终止次数
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  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 质量
  • Reach合规守则
  • 反向恢复时间
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRG7PH42UD1-EP
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 85A COPAK247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    1.7V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    镍外哑光锡
    313W
    250
    30
    IRG7PH42
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    313W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2V
    85A
    TO-247AD
    1200V
    2V @ 15V, 30A
    460 ns
    Trench
    180nC
    200A
    -/270ns
    1.21mJ (off)
    6V
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG8P50N120KD-EPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    1.2kV
    1.7V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2014
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    350W
    -
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    -
    -
    2V
    50A
    -
    1200V
    2V @ 15V, 35A
    -
    -
    315nC
    105A
    35ns/190ns
    2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    6.500007g
    unknown
    170 ns
    无铅
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