IRG7PH50UPBF备选型号: IRG4PH50S-EPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 上升时间-最大值
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子位置
- 功率耗散
- IGBT 1200V 140A 556W TO247AC14 Weeks通孔通孔TO-247-3338.000013gSILICON1.2kV1.7V-55°C~175°C TJTube2004Obsolete1 (Unlimited)3EAR99556W60nsSingleCOLLECTORStandard35 ns556W电源控制N-CHANNEL2V140ATO-247AC1200V75 ns2V @ 15V, 50A710 nsTrench290nC150A35ns/430ns3.6mJ (on), 2.2mJ (off)6V65ns20.7mm15.87mm5.31mm无SVHC无符合RoHS标准无铅--
- IGBT 1200V 57A 200W TO247AD14 Weeks通孔通孔TO-247-33-SILICON1.2kV1.7V-55°C~150°C TJTube2000Obsolete1 (Unlimited)3EAR99200W-DualCOLLECTORStandard--电源控制N-CHANNEL1.7V57ATO-247AD1200V62 ns1.7V @ 15V, 33A2170 ns-167nC114A32ns/845ns1.8mJ (on), 19.6mJ (off)--20.7mm15.87mm5.3086mm无SVHC无符合RoHS标准无铅SINGLE200W
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRG4PH50S-EPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 57A 200W TO247AD | 对比 |
![]() | IRG7PH35UD1-EP | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 50A 179W TO247 | 对比 |
| NGTB40N120FL3WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 160A TO247 | 对比 |




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