IRG7PSH54K10DPBF备选型号: IRG7PH50K10DPBF

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  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 功率 - 最大
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IGBT 1200V 120A 520W TO274AA
    19 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    247
    38.000013g
    1.2kV
    2.4V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    520W
    105ns
    Single
    Standard
    N-CHANNEL
    2.4V
    65A
    170 ns
    1200V
    2.4V @ 15V, 50A
    435nC
    200A
    110ns/490ns
    4.8mJ (on), 2.8mJ (off)
    30V
    7.5V
    90ns
    符合RoHS标准
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IGBT 1200V 90A 400W TO247AC
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    1.2kV
    2.4V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    400W
    80ns
    Single
    Standard
    N-CHANNEL
    2.4V
    90A
    130 ns
    1200V
    2.4V @ 15V, 35A
    300nC
    160A
    90ns/340ns
    2.3mJ (on), 1.6mJ (off)
    -
    7.5V
    110ns
    符合RoHS标准
    400W
    无铅
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