Infineon Technologies IRG7PSH54K10DPBF
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IRG7PSH54K10DPBF
1211-IRG7PSH54K10DPBF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT 1200V 120A 520W TO274AA
1最小包装量--
IRG7PSH54K10DPBF详情
Infineon Technologies IRG7PSH54K10DPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
19 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
247
质量
38.000013g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.4V
Current-Collector (Ic) (Max)
120A
Test Conditions
600V, 50A, 5 Ω, 15V
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
520W
上升时间-最大值
105ns
元素配置
Single
输入类型
Standard
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
2.4V
最大集电极电流
65A
反向恢复时间
170 ns
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V, 50A
闸门收费
435nC
集极脉冲电流(Icm)
200A
Td(开/关)@25°C
110ns/490ns
开关能量
4.8mJ (on), 2.8mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
30V
栅极-发射极Thr电压-最大值
7.5V
最大下降时间 (tf)
90ns
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IRG7PSH54K10DPBF拓展信息
Infineon Technologies
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