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IRG8P15N120KDPBF备选型号: IRG4PH40KDPBF
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- 集电极发射器电压(VCEO)
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- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 闸门收费
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
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- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 关断时间-标准值（toff)
- 集极脉冲电流（Icm）
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 达到SVHC
- 辐射硬化
IGBT 1200V 30A 125W TO-247AC通孔通孔TO-247-331.2kV1.7V-40°C~150°C TJTube2014Obsolete1 (Unlimited)EAR99125WunknownSingleStandard2V15A60 ns1200V2V @ 15V, 10A98nC15ns/170ns600μJ (on), 600μJ (off)20.7mm15.87mm5.31mm符合RoHS标准无铅------------------------- IGBT 1200V 30A 160W TO247AC通孔通孔TO-247-331.2kV3.4V-55°C~150°C TJTube2000最后一次购买1 (Unlimited)EAR99160W-SingleStandard3.4V30A63 ns1200V3.4V @ 15V, 15A94nC50ns/96ns1.31mJ (on), 1.12mJ (off)20.3mm15.875mm5.3mmROHS3 Compliant无铅14 WeeksSILICONe33Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier低导通损耗1.2kV25030A30160WCOLLECTOR50 nsMOTOR CONTROL31nsN-CHANNELTO-247AC82 ns730 ns60A20V3V无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STGW15M120DF3 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| IRG4PH40KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 30A 160W TO247AC | 对比 |
 | STGWA15M120DF3 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGWA15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |
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