IRG8P15N120KDPBF备选型号: STGW15M120DF3
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- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 元素配置
- 输入类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 功率 - 最大
- IGBT类型
- 集极脉冲电流(Icm)
- 达到SVHC
- IGBT 1200V 30A 125W TO-247AC通孔通孔TO-247-331.2kV1.7V-40°C~150°C TJTube2014Obsolete1 (Unlimited)EAR99125WunknownSingleStandard2V15A60 ns1200V2V @ 15V, 10A98nC15ns/170ns600μJ (on), 600μJ (off)20.7mm15.87mm5.31mm符合RoHS标准无铅----------
- STMICROELECTRONICS STGW15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins通孔通孔TO-247-331.2kV1.85V-55°C~175°C TJTube-活跃1 (Unlimited)EAR99259W-SingleStandard1.2kV30A270 ns1200V2.3V @ 15V, 15A226nC26ns/122ns550μJ (on), 850μJ (off)---ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)30 Weeks38.000013g未说明未说明STGW15259W沟渠现场停车60A无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW15M120DF3 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |
![]() | IRG4PH40KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 30A 160W TO247AC | 对比 |
![]() | STGWA15M120DF3 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGWA15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |





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