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首页 全部分类 IRG8P25N120KD-EPBF vs FGH25T120SMD-F155

IRG8P25N120KD-EPBF备选型号: FGH25T120SMD-F155

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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRG8P25N120KD-EPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 40A 180W TO-247AD
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.500007g
    1.2kV
    1.7V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2014
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    180W
    unknown
    Single
    Standard
    2V
    25A
    70 ns
    1200V
    2V @ 15V, 15A
    135nC
    45A
    20ns/170ns
    800μJ (on), 900μJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH25T120SMD-F155
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.39g
    1.2kV
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    428W
    -
    Single
    Standard
    1.2kV
    50A
    60ns
    1200V
    2.4V @ 15V, 25A
    225nC
    100A
    40ns/490ns
    1.74mJ (on), 560μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    5 Weeks
    3
    SILICON
    e3
    yes
    3
    TIN
    260
    428W
    COLLECTOR
    电源控制
    N-CHANNEL
    TO-247AB
    88 ns
    584 ns
    沟渠现场停车
    25V
    7.5V
    无
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