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首页 全部分类 IRG8P40N120KDPBF vs IRG7PH35UPBF

IRG8P40N120KDPBF备选型号: IRG7PH35UPBF

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  • 宽度
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  • 终止次数
  • 端子表面处理
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRG8P40N120KDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 60A 305W TO-247AC
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    1.2kV
    1.7V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2014
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    305W
    unknown
    Single
    Standard
    2V
    40A
    80 ns
    1200V
    2V @ 15V, 25A
    240nC
    75A
    40ns/245ns
    1.6mJ (on), 1.8mJ (off)
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG7PH35UPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 55A 210W TO247AC
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    1.2kV
    2.2V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    210W
    -
    Single
    Standard
    2.2V
    55A
    -
    1200V
    2.2V @ 15V, 20A
    85nC
    60A
    30ns/160ns
    1.06mJ (on), 620μJ (off)
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    符合RoHS标准
    无铅
    38.000013g
    SILICON
    e3
    3
    镍外哑光锡
    250
    30
    COLLECTOR
    30 ns
    210W
    电源控制
    N-CHANNEL
    TO-247AC
    45 ns
    400 ns
    Trench
    6V
    105ns
    无SVHC
    无
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