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首页 全部分类 IRGB4615DPBF vs IRGB4060DPBF

IRGB4615DPBF备选型号: IRGB4060DPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 终端
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • JEDEC-95代码
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 最大下降时间 (tf)
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRGB4615DPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 23A 99W TO220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    2.299997g
    600V
    1.55V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2001
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    99W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    99W
    N-CHANNEL
    1.85V
    23A
    60 ns
    1.85V @ 15V, 8A
    19nC
    24A
    30ns/95ns
    70μJ (on), 145μJ (off)
    20V
    6.5V
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGB4060DPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 16A 99W TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    6.000006g
    1.95V
    1.85V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    99W
    -
    -
    Single
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    1.85V
    16A
    60 ns
    1.85V @ 15V, 8A
    19nC
    32A
    30ns/95ns
    70μJ (on), 145μJ (off)
    20V
    6.5V
    9.02mm
    10.66mm
    4.82mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    16 Weeks
    SILICON
    3
    通孔
    99W
    COLLECTOR
    39 ns
    电源控制
    15ns
    TO-220AB
    600V
    45 ns
    152 ns
    Trench
    26ns
    无
    无铅
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