Infineon Technologies IRGB4060DPBF

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

6.000006g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.95V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.85V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 8A, 47 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

106 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

99W

元素配置

Single

功率耗散

99W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

39 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

15ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.85V

最大集电极电流

16A

反向恢复时间

60 ns

JEDEC-95代码

TO-220AB

电压 - 集射极击穿（最大值）

600V

接通时间

45 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.85V @ 15V, 8A

关断时间-标准值（toff)

152 ns

IGBT类型

Trench

闸门收费

19nC

集极脉冲电流（Icm）

32A

Td（开/关）@25°C

30ns/95ns

开关能量

70μJ (on), 145μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

最大下降时间 (tf)

26ns

高度

9.02mm

长度

10.66mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅