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首页 全部分类 IRGIB15B60KD1P vs SGP10N60RUFDTU

IRGIB15B60KD1P备选型号: SGP10N60RUFDTU

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 最大击穿电压
  • 最大下降时间 (tf)
  • Infineon Technologies
    IRGIB15B60KD1P
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 19A 52W TO220FP
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.299997g
    SILICON
    600V
    1.8V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2004
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    600V
    52W
    12A
    Single
    52W
    ISOLATED
    Standard
    MOTOR CONTROL
    35ns
    N-CHANNEL
    2.2V
    19A
    67 ns
    TO-220AB
    55 ns
    2.2V @ 15V, 15A
    250 ns
    NPT
    56nC
    38A
    30ns/173ns
    127μJ (on), 334μJ (off)
    20V
    5.5V
    16.12mm
    10.63mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    SGP10N60RUFDTU
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors Dis Short Circuit Rated IGBT
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    1.8g
    SILICON
    600V
    2.2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    600V
    208W
    10A
    Single
    75W
    -
    Standard
    MOTOR CONTROL
    -
    N-CHANNEL
    600V
    16A
    42 ns
    TO-220AB
    49 ns
    2.8V @ 15V, 10A
    284 ns
    -
    30nC
    30A
    15ns/36ns
    141μJ (on), 215μJ (off)
    20V
    8V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
    8541.29.00.95
    SG*10N60
    R-PSFM-T3
    600V
    220ns
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