Infineon Technologies IRGIB10B60KD1P

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

质量

2.299997g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.1V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 10A, 50 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

44W

额定电流

16A

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

晶体管应用

MOTOR CONTROL

上升时间

24ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.1V

最大集电极电流

16A

反向恢复时间

79 ns

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

46 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 10A

关断时间-标准值（toff)

288 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

41nC

集极脉冲电流（Icm）

32A

Td（开/关）@25°C

25ns/180ns

开关能量

156μJ (on), 165μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.5V

最大下降时间 (tf)

87ns

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅