IRGP20B60PDPBF备选型号: STGW20V60F

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 终端
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  • 电压 - 额定直流
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  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • Infineon Technologies
    IGBT 600V 40A 220W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    2.05V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2003
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS
    600V
    220W
    40A
    Single
    220W
    COLLECTOR
    Standard
    20 ns
    电源控制
    5ns
    N-CHANNEL
    2.8V
    40A
    42 ns
    TO-247AC
    25 ns
    2.8V @ 15V, 20A
    138 ns
    NPT
    68nC
    80A
    20ns/115ns
    95μJ (on), 100μJ (off)
    20V
    5V
    17ns
    20.3mm
    15.9mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    2.3V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    -
    -
    167W
    -
    Single
    167W
    -
    Standard
    -
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    600V
    40A
    -
    -
    49 ns
    2.2V @ 15V, 20A
    173 ns
    沟渠现场停车
    116nC
    80A
    38ns/149ns
    200μJ (on), 130μJ (off)
    -
    -
    -
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    e3
    Matte Tin (Sn)
    STGW20
    3
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