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首页 全部分类 IRGP35B60PDPBF vs IRGP50B60PD1PBF

IRGP35B60PDPBF备选型号: IRGP50B60PD1PBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • Infineon Technologies
    IRGP35B60PDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 60A 308W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    1.85V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2000
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS
    600V
    308W
    60A
    Single
    308W
    COLLECTOR
    Standard
    26 ns
    电源控制
    6ns
    N-CHANNEL
    2.55V
    60A
    42 ns
    TO-247AC
    34 ns
    2.55V @ 15V, 35A
    142 ns
    NPT
    160nC
    120A
    26ns/110ns
    220μJ (on), 215μJ (off)
    20V
    5V
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGP50B60PD1PBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 75A 390W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    2.35V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS
    600V
    390W
    75A
    Single
    390W
    COLLECTOR
    Standard
    30 ns
    电源控制
    10ns
    N-CHANNEL
    2.85V
    75A
    42 ns
    TO-247AC
    39 ns
    2.85V @ 15V, 50A
    161 ns
    NPT
    205nC
    150A
    30ns/130ns
    255μJ (on), 375μJ (off)
    20V
    5V
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    38.000013g
    20ns
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