IRGP4262D-EPBF备选型号: FGH30T65UPDT-F155

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 上升时间-最大值
  • 元素配置
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • Infineon Technologies
    IGBT 650V 60A 250W TO247AC
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    650V
    1.7V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    250W
    45ns
    Single
    Standard
    250W
    N-CHANNEL
    2.1V
    60A
    170 ns
    2.1V @ 15V, 24A
    70nC
    96A
    24ns/73ns
    520μJ (on), 240μJ (off)
    20V
    7.7V
    40ns
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    IGBT 650V 60A 250W TO247-3
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    650V
    2.1V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2016
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    250W
    -
    Single
    Standard
    250W
    N-CHANNEL
    650V
    60A
    43 ns
    2.3V @ 15V, 30A
    155nC
    90A
    22ns/139ns
    760μJ (on), 400μJ (off)
    20V
    7.5V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
    6.39g
    SILICON
    e3
    yes
    3
    TIN
    260
    not_compliant
    未说明
    COLLECTOR
    电源控制
    TO-247AB
    52 ns
    170 ns
    沟渠现场停车
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