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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥16.051991
10
¥15.143387
100
¥14.286215
500
¥13.477561
1000
¥12.71468
STMicroelectronics STGWA30M65DF2
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STGWA30M65DF2
2381-STGWA30M65DF2
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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STMICROELECTRONICS STGWA30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGWA30M65DF2详情
STMicroelectronics STGWA30M65DF2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
30 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.55V
Test Conditions
400V, 30A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
258W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STGWA30
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
258W
集电极发射器电压(VCEO)
2V
最大集电极电流
60A
反向恢复时间
140 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 30A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
80nC
集极脉冲电流(Icm)
120A
Td(开/关)@25°C
31.6ns/115ns
开关能量
300μJ (on), 960μJ (off)
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STGWA30M65DF2拓展信息
STMicroelectronics
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