IRGP4262DPBF备选型号: IRGP4740D-EPBF
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 上升时间-最大值
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- IGBT 650V 60A 250W TO247AC通孔通孔TO-247-33650V1.7V-40°C~175°C TJTube2007Obsolete1 (Unlimited)EAR99250W45nsSingleStandard250WN-CHANNEL2.1V60A170 ns2.1V @ 15V, 24A70nC96A24ns/73ns520μJ (on), 240μJ (off)20V7.7V40ns无SVHC无符合RoHS标准无铅--
- IGBT 650V TO-247通孔通孔TO-247-3-650V--40°C~175°C TJTube2014Obsolete1 (Unlimited)EAR99250W--Standard250W-2V60A170 ns2V @ 15V, 24A70nC72A24ns/73ns520μJ (on), 240μJ (off)-----符合RoHS标准-未说明未说明
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGWA30M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGWA30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| FGH30T65UPDT-F155 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 60A 250W TO247-3 | 对比 | |
![]() | IRGP4740D-EPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V TO-247 | 对比 |





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