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首页 全部分类 IRGP4263D-EPBF vs STGW40H65FB

IRGP4263D-EPBF备选型号: STGW40H65FB

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  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • IGBT类型
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRGP4263D-EPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 650V 90A 325W TO-247
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    650V
    1.7V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    325W
    80ns
    Single
    Standard
    325W
    N-CHANNEL
    2.1V
    90A
    170 ns
    2.1V @ 15V, 48A
    145nC
    192A
    70ns/140ns
    2.9mJ (on), 1.4mJ (off)
    20V
    7.7V
    50ns
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW40H65FB
    STMicroelectronics
    IGBT Transistors 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    650V
    1.6V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    283W
    -
    Single
    Standard
    -
    -
    650V
    80A
    -
    2.3V @ 15V, 40A
    210nC
    160A
    40ns/142ns
    498mJ (on), 363mJ (off)
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    STGW40
    283W
    沟渠现场停车
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
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