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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥29.495085
10
¥27.825552
100
¥26.250521
500
¥24.764643
1000
¥23.362871
Infineon Technologies IGP40N65H5XKSA1
- 收藏
- 对比
IGP40N65H5XKSA1
1211-IGP40N65H5XKSA1
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3
大陆
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Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 3-Pin TO-220 Tube
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IGP40N65H5XKSA1详情
Infineon Technologies IGP40N65H5XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
6.000006g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65V
Test Conditions
400V, 20A, 15 Ω, 15V
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
TrenchStop®
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
255W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
255W
无卤素
无卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.65V
最大集电极电流
74A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 40A
闸门收费
95nC
集极脉冲电流(Icm)
120A
Td(开/关)@25°C
22ns/165ns
开关能量
390μJ (on), 120μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
4.8V
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IGP40N65H5XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








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