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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥28.861123
10
¥27.227474
100
¥25.686297
500
¥24.232355
1000
¥22.860714
STMicroelectronics STGW40H65FB
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- 对比
STGW40H65FB
2381-STGW40H65FB
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
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IGBT Transistors 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGW40H65FB详情
STMicroelectronics STGW40H65FB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6V
Test Conditions
400V, 40A, 5 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
283W
基本部件号
STGW40
元素配置
Single
功率耗散
283W
输入类型
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
650V
最大集电极电流
80A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V, 40A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
210nC
集极脉冲电流(Icm)
160A
Td(开/关)@25°C
40ns/142ns
开关能量
498mJ (on), 363mJ (off)
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGW40H65FB拓展信息
STMicroelectronics
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