您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRGP50B60PDPBF vs IXGH48N60C3

IRGP50B60PDPBF备选型号: IXGH48N60C3

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 连续集电极电流
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 输入电容
  • Infineon Technologies
    IRGP50B60PDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 75A 370W TO247AC
    14 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2004
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS
    600V
    370W
    75A
    Single
    370W
    COLLECTOR
    Standard
    33 ns
    电源控制
    26ns
    N-CHANNEL
    600V
    75A
    50 ns
    TO-247AC
    59 ns
    2.6V @ 15V, 50A
    150°C
    75A
    190 ns
    NPT
    240nC
    150A
    34ns/130ns
    360μJ (on), 380μJ (off)
    20V
    5V
    65ns
    24.99mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXGH48N60C3
    IXYS
    IGBT 600V 75A 300W TO247AD
    30 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    6.500007g
    SILICON
    600V
    2.3V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    300W
    -
    Single
    300W
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    600V
    75A
    -
    -
    45 ns
    2.5V @ 15V, 30A
    -
    -
    187 ns
    PT
    77nC
    250A
    19ns/60ns
    410μJ (on), 230μJ (off)
    20V
    5.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    GenX3™
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    IXG*48N60
    3
    R-PSFM-T3
    1.96nF
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STGY40NC60VD STGY40NC60VD STMicroelectronics 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 STMICROELECTRONICS STGY40NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, MAX-247, 3 Pins 对比
AUIRGP50B60PD1 AUIRGP50B60PD1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 600V 75A 390W TO247AC 对比