IXYS IXGH48N60C3

工厂交货时间

30 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

质量

6.500007g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.3V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 30A, 3 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

GenX3™

已出版

2009

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最大功率耗散

300W

基本部件号

IXG*48N60

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

功率耗散

300W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

75A

输入电容

1.96nF

接通时间

45 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

187 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

77nC

集极脉冲电流（Icm）

250A

Td（开/关）@25°C

19ns/60ns

开关能量

410μJ (on), 230μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅