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首页 全部分类 IRGPS66160DPBF vs NGTB40N60FL2WG

IRGPS66160DPBF备选型号: NGTB40N60FL2WG

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  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 质量
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • IGBT类型
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRGPS66160DPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 160A TO247
    19 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-274AA
    247
    SILICON
    600V
    1.65V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    750W
    未说明
    未说明
    R-PSIP-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    750W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.95V
    240A
    95 ns
    210 ns
    1.95V @ 15V, 120A
    350 ns
    220nC
    360A
    80ns/190ns
    4.47mJ (on), 3.43mJ (off)
    20.8mm
    16.1mm
    5.5mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NGTB40N60FL2WG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB40N60FL2WGIGBT Single Transistor, 80 A, 1.7 V, 366 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    600V
    1.85V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    366W
    -
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    366W
    -
    N-CHANNEL
    600V
    80A
    72 ns
    -
    2V @ 15V, 40A
    -
    170nC
    160A
    84ns/177ns
    970μJ (on), 440μJ (off)
    21.08mm
    16.26mm
    5.3mm
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    38.000013g
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    沟渠现场停车
    20V
    6.5V
    无SVHC
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