Infineon Technologies IRGPS66160DPBF

工厂交货时间

19 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-274AA

引脚数

247

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.65V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 120A, 4.7 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2014

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

750W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

750W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.95V

最大集电极电流

240A

反向恢复时间

95 ns

接通时间

210 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.95V @ 15V, 120A

关断时间-标准值（toff)

350 ns

闸门收费

220nC

集极脉冲电流（Icm）

360A

Td（开/关）@25°C

80ns/190ns

开关能量

4.47mJ (on), 3.43mJ (off)

高度

20.8mm

长度

16.1mm

宽度

5.5mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅