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首页 全部分类 IRGR2B60KDPBF vs STGD3NB60SDT4

IRGR2B60KDPBF备选型号: STGD3NB60SDT4

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  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 最大击穿电压
  • 接通时间
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  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRGR2B60KDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 6.3A 35W DPAK
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    600V
    1.95V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    35W
    IRGR2B60
    25ns
    Single
    Standard
    35W
    N-CHANNEL
    2.25V
    6.3A
    68 ns
    2.25V @ 15V, 2A
    NPT
    12nC
    8A
    11ns/150ns
    74μJ (on), 39μJ (off)
    20V
    6V
    75ns
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGD3NB60SDT4
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 6A 48W DPAK
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    600V
    1.5V
    175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    48W
    STGD3
    -
    Single
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    600V
    6A
    1.7μs
    1.5V @ 15V, 3A
    -
    18nC
    25A
    125μs/-
    1.15mJ (off)
    20V
    4.5V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    PowerMESH™
    e3
    2
    Matte Tin (Sn) - annealed
    600V
    鸥翼
    260
    3A
    30
    3
    R-PSSO-G2
    48W
    125 μs
    电源控制
    150μs
    600V
    275 ns
    4800 ns
    无铅
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