IRGR2B60KDTRLPBF备选型号: FGD3N60UNDF
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- 功率耗散
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- 晶体管应用
- 最大击穿电压
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- IGBT 600V 6.3A 35W DPAK20 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633600V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013Obsolete1 (Unlimited)EAR9935WIRGR2B6025nsSingleStandard35WN-CHANNEL2.25V6.3A68 ns2.25V @ 15V, 2ANPT12nC8A11ns/150ns74μJ (on), 39μJ (off)20V6V75ns无符合RoHS标准---------------------
- IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT7 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633600V-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2013活跃1 (Unlimited)EAR9960WFGD3N60-SingleStandard-N-CHANNEL600V6A21ns2.52V @ 15V, 3ANPT1.6nC9A5.5ns/22ns52μJ (on), 30μJ (off)20V8.5V-无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 4 days ago)260.37mgSILICON2.4Ve3yes2Tin (Sn)8541.29.00.95鸥翼R-PSSO-G260WCOLLECTORMOTOR CONTROL600V7.4 ns146 ns2.3mm6.6mm6.1mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGR3B60KD2TRP | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 7.8A 52W DPAK | 对比 |
![]() | FGD3N60UNDF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT | 对比 |
![]() | IKD06N60RAATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 12A 100W TO252 | 对比 |




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